公司歷程
實收資本額變更為27,773,500
2025/04/15
實收資本額變更為30,389,950
2024/08/12
實收資本額變更為31,589,950
2023/12/19
實收資本額變更為32,444,660
2022/01/06
資本額變更為50,000,000
2018/04/23
實收資本額變更為33,860,460
2018/04/23
實收資本額變更為26,882,290
2018/01/09
實收資本額變更為26,732,290
2017/04/11
實收資本額變更為25,492,290
2016/11/30
實收資本額變更為25,342,290
2016/11/15
資本額變更為30,000,000
2015/12/25
實收資本額變更為24,789,800
2015/12/25
資本額變更為24,689,800
2015/01/29
實收資本額變更為24,689,800
2015/01/29
實收資本額變更為24,289,800
2014/04/09
資本額變更為24,289,800
2013/12/16
實收資本額變更為22,377,800
2013/12/16
資本額變更為18,088,000
2013/01/04
實收資本額變更為17,404,000
2013/01/04
政府標案
| 標案名稱 | 機關名稱 | 決標日期 | 決標金額 | 是否得標 |
|---|---|---|---|---|
| ALD下腔體trap加熱包 | 國立陽明交通大學 | 112/07/12 | 252000.0 | 是 |
| Cambridge ALD MFC質量流量控制器更換維修一批 | 國立陽明交通大學 | 110/03/24 | 457000.0 | 是 |
| 複合式原子層沈積系統 如廠牌:VEECO M/N:SAVANNAH S200 詳規範 共1ST | 長庚大學 | 109/06/12 | 4200000.0 | 是 |
| ALD腔體年度保養維修 | 國立交通大學 | 108/12/27 | 190000.0 | 是 |
| 原子層沉積設備及粉末鍍膜裝置 | 國立臺灣大學 | 108/11/14 | 2300000.0 | 是 |
| 射頻基材偏壓增強型原子層沉積系統升級套件 | 國立臺灣大學 | 108/08/02 | 3600000.0 | 是 |
| 真空電漿系統(亦稱原子層沉積電漿系統) | 國立臺灣大學 | 108/05/29 | 1186500.0 | 是 |
| 射頻基材偏壓增強型原子層沉積系統 | 國立臺灣大學 | 107/12/21 | 4000000.0 | 是 |
| 矩形磁控濺鍍源採購 | 行政院原子能委員會核能研究所 | 106/10/26 | 892000.0 | 是 |
| 原子層沉積系統(ALD)先驅物傳送管路及零件更換採購一式 | 國立交通大學 | 106/05/11 | 1470000.0 | 是 |
| ALD控制器 | 國立交通大學 | 103/10/21 | 450000.0 | 是 |
| 射頻電源供應器 | 國立臺北科技大學 | 103/10/15 | 235000.0 | 是 |
| 電漿輔助原子層沉積系統升級壹套 | 國立成功大學 | 103/04/15 | 870000.0 | 是 |
| 原子層沈積設備(ALD)專用電漿源壹套 | 國立成功大學 | 102/09/17 | 1995000.0 | 是 |
| 擴充原子層沉積設備(ALD)：新增先驅物管線組 一組 | 國立交通大學 | 102/07/26 | 650000.0 | 是 |
| 原子層沉積設備(ALD)之附件(抗腐蝕型真空幫浦)及真空幫浦氟素油 | 國立臺灣大學 | 102/05/06 | 272790.0 | 是 |
| 先驅物管線一組 | 國立清華大學 | 102/04/16 | 340000.0 | 是 |
